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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
8.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2341
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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