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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
25
Velocità di lettura, GB/s
14.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
3593
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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