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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
14.9
18.5
写入速度,GB/s
9.5
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3593
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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