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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.2
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.8
25.2
写入速度,GB/s
12.5
19.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
4167
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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