RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
4167
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link