RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3327
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link