RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
54
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
54
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2938
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link