RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
54
Por volta de 9% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
54
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2938
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link