RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3327
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link