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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
4,577.1
19.1
写入速度,GB/s
2,066.5
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3091
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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