RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3091
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link