RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
27
Velocità di lettura, GB/s
14.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
3711
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link