RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
51
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
51
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2570
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link