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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
64
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
14.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
64
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2205
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
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