RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
64
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2205
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link