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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
36
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
32
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2240
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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