RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2240
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link