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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
61
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.6
2,077.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
31
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
1908
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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