Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    54 left arrow 65
    Intorno -20% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.3 left arrow 2,784.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 54
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,806.8 left arrow 9.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,784.6 left arrow 7.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    932 left arrow 1904
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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