RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
54
Intorno -157% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
21
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3120
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link