RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
54
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
34
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3606
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link