Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 15.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 54
    Intorno -46% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 1,308.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 5300
    Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    54 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,573.5 left arrow 15.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,308.1 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    371 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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