RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3075
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link