RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
54
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
25
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2792
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link