RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
54
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
33
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3595
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link