RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
54
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
31
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3300
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link