RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3300
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link