RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
28
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3800
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link