RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3800
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link