RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
22.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
54
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.6
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
24
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
4202
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link