RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
22.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
54
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
22.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
4202
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Informar de un error
×
Bug description
Source link