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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
54
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.2
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
23
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
18.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
4128
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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