RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
4128
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link