RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
54
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
29
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2690
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link