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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2690
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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