RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
54
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
29
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2711
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link