RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2711
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link