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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
54
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
48
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2431
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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