RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
54
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
48
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
10.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2431
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link