RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Confronto
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,636.8
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
68
Intorno -143% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
28
Velocità di lettura, GB/s
4,540.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,636.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
827
3453
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link