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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Punteggio complessivo
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
63
72
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,938.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
72
63
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,938.7
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
677
2543
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Confronto tra le RAM
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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