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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
10.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
50
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
34
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
2732
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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