RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2732
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link