RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2732
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link