Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 18.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    58 left arrow 72
    Intorno -24% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 1,938.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 6400
    Intorno 3 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    72 left arrow 58
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,241.0 left arrow 18.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,938.7 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    677 left arrow 1998
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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