Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 18.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    58 left arrow 72
    Wokół strony -24% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 1,938.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    72 left arrow 58
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,241.0 left arrow 18.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,938.7 left arrow 9.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    677 left arrow 1998
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania