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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
64
Intorno -167% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
24
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2703
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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