RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2703
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link