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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
64
Intorno -106% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
31
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3367
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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