RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
64
Intorno -167% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
24
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3257
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link