RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3257
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link